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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22406
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1N21206T
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1N22406T
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1N22806T
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21206
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
1N22406
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射频开关

DC-6000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15ms
1N22806