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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T