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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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开关

500-2000MHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离80dB,功率容量0.2W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537