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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537