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功率放大器芯片

频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-1.2GHz,增益16dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:1.057GHz-1.077GHz,增益15dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:470GHz-610GHz,增益15.8dBm,输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420
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GaN 内匹配功放管

频率:0.9-1.3GHz,最大增益:15dB,,28V
HG532FI
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GaN 内匹配功放管

频率:0.9-1.3GHz,最大增益:14dB,,48V
HG532FF