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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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功率放大器芯片

频率:1-1.6GHz,增益:31dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-4.3GHz,增益:25dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5GHz,增益:25dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:22.5dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-7GHz,增益:20dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:11-17GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:13-18GHz,增益:19dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:33-37GHz,增益:16dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:34-36GHz,增益:17dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:90-96GHz,增益:9dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:4GHz-4GHz,增益10dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC4117S-4