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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CD493
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:410GHz-510GHz,增益16.5dBm,输出功率:490W,射频端口:贴装焊接
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:5.5W,射频端口:贴装焊接
3DA525
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益9dBm,输出功率:11W,射频端口:贴装焊接
3DA526
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益7.45dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA527
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Si 脉冲功率晶体管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益7dBm,输出功率:45W,射频端口:贴装焊接
3DA528
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低噪声放大器模块

频率:0.1-1GHz,最大增益25dBm
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-0.6GHz,最大增益:23dB,噪声系数:0.7dB,输出功率:19dBm,5V,80mA
HG511F
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低噪声放大器芯片

频率:0.03-0.6GHz,最大增益:32dB,噪声系数:0.6dB,输出功率:23dBm,5V,95mA
HG111FG-1
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-1.2GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:21dBm,5V,40mA
HG112F8
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增益放大器

频率:0.05-0.5GHz,最大增益:22dB,噪声系数:4.2dB,输出功率:20dBm,60mA
IGB-020A