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低噪声放大器芯片

频率:2-4.5GHz,增益:32dBm,输出功率:8dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2.5-4.5GHz,增益:24dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0-5GHz,增益:17dBm,输出功率:12dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5GHz,增益:25dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:4.4GHz-5GHz,增益11dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:4.5GHz-4.8GHz,增益10dBm,输出功率:53dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:4.5-4.9GHz,最大增益10dBm
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GaN 表面贴装/安装功率放大器

频率:4.5-4.9GHz,最大增益17dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:3-4.7GHz,最大增益16dBm
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:4.4-5GHz,最大增益27dBm
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低噪声放大器芯片

频率:2-5GHz,最大增益:14dB,噪声系数:2.8dB,输出功率:14dBm,5V,30mA
HG113FW-1
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Gain Block 放大器芯片

频率:0.02-5GHz,最大增益:18dB,噪声系数:2.6dB,输出功率:20dBm,5V,67mA
HG114FH-1A
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低噪声放大器芯片

频率:2-4.5GHz,最大增益:28dB,噪声系数:0.8dB,输出功率:14dBm,5V,30mA
HG114F1
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低噪声放大器芯片

频率:2-5GHz,最大增益:10dB,噪声系数:3.3dB,输出功率:10dBm,5V,19mA
HG113FW-2
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GaN 内匹配功放管

频率:4.5-5GHz,最大增益:10dB,,28V