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-
筛选项:
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Si LDMOS 功率晶体管

频率：485GHz-606GHz,增益13dBm，输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率：485GHz-606GHz,增益14dBm，输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
...

Si LDMOS 功率晶体管

频率：485GHz-606GHz,增益15.2dBm，输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
...

Si LDMOS 功率晶体管

频率：485GHz-606GHz,增益17dBm，输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
...

Si LDMOS 功率晶体管

频率：470GHz-610GHz,增益15.8dBm，输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420
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低噪声放大器模块

频率:0.1-1GHz，最大增益25dBm
NC3081M-011
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:0.5-2GHz，最大增益20dBm
NC31103S-102
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低噪声放大器

9KHz-1000MHz高增益放大器，增益50dB，接口N-K，220V供电
DLNA9-0.01-1000-1170
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低噪声放大器

200-1700MHz两路低噪声放大器，增益20，噪声系数3
DLNA8-200-1700-839
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放大+变频

频率:0.6-1.25GHz,最大增益:9dB,输出功率:16dBm
HGC630
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Gain Block 放大器芯片

频率:0.02-2GHz,最大增益:22dB,噪声系数:1.1dB,输出功率:15dBm,5V,32mA
HG111F1
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Gain Block 放大器芯片

频率:0.02-2GHz,最大增益:21.5dB,噪声系数:2.8dB,输出功率:17.5dBm,5V,56mA
HG111F2
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Gain Block 放大器芯片

频率:0.02-2GHz,最大增益:20dB,噪声系数:2.8dB,输出功率:20dBm,5V,65mA
HG111F3
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Gain Block 放大器芯片

频率:0.4-2GHz,最大增益:20dB,噪声系数:0.4dB,输出功率:22.5dBm,5V,65mA
HG113F5-PQ2A
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-1.2GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:21dBm,5V,40mA
HG112F8
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低噪声放大器芯片

频率:0.3-2GHz,最大增益:29.5dB,噪声系数:0.8dB,输出功率:21dBm,5V,100mA
HG112F4

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