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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.225GHz,增益7.5dBm,输出功率:85W,射频端口:贴装焊接
WD0622