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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:29dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:23dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-4.3GHz,增益:25dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6.5GHz,增益:23dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.3-2.5GHz,增益:26dBm,输出功率:39dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13dBm,输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.3-2.5GHz,最大增益40dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2