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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:1.3-1.9GHz,增益:9dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:1GHz-2GHz,增益11dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13dBm,输出功率:47dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:1.8GHz-2.3GHz,增益13dBm,输出功率:43dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:1.8GHz-2.3GHz,增益13dBm,输出功率:44.8dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:1.9GHz-2GHz,增益13.5dBm,输出功率:42dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:2.3GHz-2.5GHz,增益12dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:31.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4142S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41160S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
NC41120S-2