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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益13.5dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.7GHz-3.1GHz,增益13dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-3GHz,最大增益15dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-8GHz,最大增益19dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:1-4GHz,最大增益15dBm
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低噪声放大器模块

频率:1-8GHz,最大增益17dBm
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:2-3GHz,最大增益15dBm
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双向放大器芯片

频率:1.5-4GHz,最大增益:13.5dB,噪声系数:2.9dB,,5V,67mA
HG113F1
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低噪声放大器芯片

频率:2-5GHz,最大增益:14dB,噪声系数:2.8dB,输出功率:14dBm,5V,30mA
HG113FW-1
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驱动放大类芯片

频率:2-8GHz,最大增益:13dB,噪声系数:2dB,输出功率:19dBm,5V,52mA
HGC426
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驱动放大类芯片

频率:2-8GHz,最大增益:13dB,噪声系数:2.8dB,输出功率:20dBm,5V,75mA
HGC426L