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低噪声放大器芯片

频率:4-7GHz,增益:14dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:4-8GHz,增益:14dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:14dBm,输出功率:18.5dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:14dBm,输出功率:18.5dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:10-20GHz,增益:14dBm,输出功率:7dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:16-26GHz,增益:14dBm,输出功率:8dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:29-33GHz,增益:14dBm,输出功率:8dBm,噪声:3.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0-3.5GHz,增益:13.6dBm,输出功率:15.7dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:1.1GHz-1.4GHz,增益14dBm,输出功率:49.5dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1.1GHz-1.7GHz,增益14dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:1.9GHz-2GHz,增益13.5dBm,输出功率:42dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益14dBm,输出功率:55dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:1.1-1.4GHz,最大增益14dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益13.5dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2
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GaAs 内匹配功率管

频率:1.24GHz-1.3GHz,增益14dBm,输出功率:43dBm,射频端口:贴装焊接