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GaN 功率放大器载体

频率:2.7-3.5GHz,最大增益39dBm
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-2.5GHz,最大增益:35dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:18.5dBm,5V,58mA
HG112F7
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-2.5GHz,最大增益:35dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:18.5dBm,5V,58mA
HG112F7M
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-2.5GHz,最大增益:35dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:18.5dBm,5V,58mA