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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:1.63GHz-1.67GHz,增益12dBm,输出功率:44.8dBm,射频端口:贴装焊接
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.87GHz-0.99GHz,增益8.75dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
WD0564
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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.225GHz,增益7.5dBm,输出功率:85W,射频端口:贴装焊接
WD0622
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益10dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
WD0616
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益7dBm,输出功率:50W,射频端口:贴装焊接
WD0617
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益9.5dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA507
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功率放大器芯片

频率:2-20GHz,最大增益:9.5dB,输出功率:29.5dBm,10/0.292V
HG137FA
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驱动放大类芯片

频率:2-20GHz,最大增益:11dB,输出功率:28dBm,10V,310mA
HGC418
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GaN 内匹配功放管

频率:0.8-2GHz,最大增益:11dB,,28V
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GaN 内匹配功放管

频率:2-2.5GHz,最大增益:10dB,,28V
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GaN 内匹配功放管

频率:2-3.4GHz,最大增益:10dB,,28V
HG533FB
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GaN功率放大器芯片

频率:2-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:38dBm,28V,1200mA芯片尺寸:4.6*2.1*0.1
AMPA0010S