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-
25~35 (3)
37~39 (2)
40~42 (5)
45~50 (2)
52~52 (1)
-
2 (12)
-
电子开关 (6)
10 (13)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1615C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1644C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1608C-140
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
NC16110C-1932
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1632C-2527PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
NC16103C-3040
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
...

GaAs FET开关

频率:0-40GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:52dB,
ISW-0040ST
...

GaAsPIN开关

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,
ISW1H
...

GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1
...

GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:39dB,
ISW1A
...

单刀单掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸：1.05*1.05*0.1
AMSW0005S
...

单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1
AMSW0001S

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