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37 (1)
34 (1)
-
2 (13)
-
电子开关 (7)
10~12 (5)
15~20 (4)
25~30 (2)
80~270 (2)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
...

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
...

反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,
HGC116MPDLP4
...

开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,隔离度:35dB,
HG128KB
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A
...

GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2
...

开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:38dB,1.49*1.10mm×mm
SIS029

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