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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
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匹配式 SPDT

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC114-5D
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
HGC114
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HG127KC
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
ISW-0006DT
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT
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GaAs FET开关

频率:0-45GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
ISW-0045DT
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GaAs FET开关

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,
ISW-2040DT
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:52dB,
ISW2A
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210F