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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,

型号:HGC114

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,

型号:HGC112

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:52dB,

型号:ISW2A

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,