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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
NC1643C-106PD
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
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GaAs FET开关

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,
ISW-00038T

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