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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns

频率:0-40GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB,

型号:HGC123

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,

型号:HGC124

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,

型号:HGC121

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,

型号:ISW1H