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-
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-
电子开关 (5)
10~15 (8)
20~25 (3)
30~50 (2)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1632C-2527PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1633C-2227PD
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC16606C-3436
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
...

全正电，匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
...

W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129
...

单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
...

GaAs FET开关

频率:0-19GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:61dB,
ISW-0019DT
...

GaAs FET开关

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,
ISW-2040DT
...

GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:46dB,
ISW5B2

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