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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1.85dB,隔离度:47dB,
ISW-00066T
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GaAs FET开关

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,
ISW-00038T