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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益10dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
WD0616
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益7dBm,输出功率:50W,射频端口:贴装焊接
WD0617
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益9.5dBm,输出功率:25W,射频端口:贴装焊接
3DA507
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GaN 功放芯片

频率:5-6GHz,最大增益:25dB,,28V
HG134FA
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GaN 功放芯片

频率:8-11.5GHz,最大增益:19.5dB,,28V
HG135FC
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GaN 功放芯片

频率:0.03-2.5GHz,最大增益:15dB,,28V
HG152FA
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GaN 功放芯片

频率:2-6GHz,最大增益:23dB,,28V
HG154FA
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GaN 功放芯片

频率:2-6GHz,最大增益:20dB,,28V
HG154FB
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GaN 功放芯片

频率:7-13GHz,最大增益:14.5dB,,28V
HG155FA
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GaN 功放芯片

频率:7-13GHz,最大增益:21dB,,28V
HG155FB-1
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GaN 功放芯片

频率:8-12GHz,最大增益:23dB,,28V
HG155FB-2
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GaN 功放芯片

频率:6-18GHz,最大增益:16dB,,28V
HG156FB
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GaN 功放芯片

频率:12.5-17GHz,最大增益:21dB,,28V
HG156FC
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GaN 内匹配功放管

频率:0.9-1.3GHz,最大增益:15dB,,28V
HG532FI
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GaN 内匹配功放管

频率:0.8-2GHz,最大增益:11dB,,28V
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GaN 内匹配功放管

频率:2-2.5GHz,最大增益:15dB,,28V
HG533F3