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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:20dBm,输出功率:8dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:26dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:26dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:11-16GHz,增益:20dBm,输出功率:3dBm,噪声:1.4,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:8.5dBm,输出功率:9.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:9dBm,输出功率:8dBm,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8-11GHz,最大增益21dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8.5-10GHz,最大增益21dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益27dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益20dBm
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低噪声放大器模块

频率:2-14GHz,最大增益23dBm
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低噪声放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益35dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益:21.5dB,噪声系数:0.9dB,输出功率:8dBm,5V,30mA
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:22.5dB,噪声系数:0.9dB,输出功率:7dBm,5V,43mA
HG115FD-6
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低噪声放大器芯片

频率:8-12GHz,最大增益:26dB,噪声系数:1.1dB,输出功率:10dBm,5V,30mA
HG115FN-1
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压控振荡器

频率:5.6-9.7GHz,输出功率:5dBm,相位噪声@100KHz:-100dBc/Hz,5V,60mA