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介质振荡器

频率:11-12GHz,最大增益26dBm
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介质振荡器

频率:12-13GHz,最大增益26dBm
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:23dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:24dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:8-12GHz,增益:21dBm,输出功率:38dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:11-17GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:12-15GHz,增益:19.5dBm,输出功率:34.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:13-18GHz,增益:19dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-16GHz,增益:20.5dBm,输出功率:37.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:19dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:19dBm,输出功率:34dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:10-18GHz,增益:13dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:14-18GHz,增益:15dBm,输出功率:26dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益13dBm,输出功率:27dBm,射频端口:贴装焊接
NC41143S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益8.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4135S-8
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:8GHz-8GHz,增益6dBm,输出功率:32dBm,射频端口:贴装焊接
NC4119S-8