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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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°两路功分器芯片

频率:0.5-1.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:13dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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表面贴装功率分配/合成器

频率:1.2-1.4GHz,最大增益1.2dBm
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隔离器

960-1250MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
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隔离器

800-960MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
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功分器

500-4000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-4000MHz,两路0°功分器,SMA-K
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功分器

950-2150MHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

950-1250MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-6000MHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W