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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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隔离器

4000-8000MHz隔离器,SMA-K
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隔离器

800-960MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
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隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
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隔离器

1.9-2.4GHz同轴隔离器,SMA-K,功率10W,损耗0.5,隔离度20
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隔离器

9925-10325MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

10025-10225MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

14200-15200MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

9-10GHz隔离器,SMA-K/FD,隔离22,损耗0.4
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
YG600A-6
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
YG600A-5
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隔离器

7.7-8.5GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

7-7.7GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

1.7-2.6GHz隔离器,SMA-K,隔离17,损耗0.5