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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4