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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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隔离器

12000-18000GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

17-21GHz隔离器,2.92-K,损耗0.8,隔离15
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隔离器

12-15GHz隔离器,SMA-K,隔离度18,损耗0.6
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6