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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W