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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1615C-112
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1608C-140

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