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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:34dB,1.49*0.977mm×mm
SIS030