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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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°两路功分器芯片

频率:40-50GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:18dB
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°三路功分器芯片

频率:20-40GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB