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°两路功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:17dB
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:4-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:16dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°三路功分器芯片

频率:3.5-6.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB