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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2/2.2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:41dB,
ISW3B2