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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,
HGC116-PD
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全正电,匹配式 SPT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:40dB,
HGC122
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,
ISW4B2