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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
NC16601C-106
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC16603C-0820
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4

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