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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°三路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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功分器

9-9.5GHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

9-10GHz隔离器,SMA-K/FD,隔离22,损耗0.4
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
YG600A-5
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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功分器

8-12.4GHz八路0°功分器,SMA-K
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隔离器

9200-9600MHz隔离器,微带针接口
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功分器

8600-9600MHz两路0°功分器,SMA-K