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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB
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隔离器

33100-33300MHz隔离器,2W,2.92-J/J
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一分二功分器芯片

频率:20-36GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG128GA