...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
...

GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
...

隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
...

开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
...

隔离器

12000-18000GHz隔离器,SMA-K
...

隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
...

隔离器

4000-8000MHz隔离器,SMA-K
...

隔离器

960-1250MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
...

隔离器

800-960MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
...

隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
...

隔离器

1.9-2.4GHz同轴隔离器,SMA-K,功率10W,损耗0.5,隔离度20
...

隔离器

12-15GHz隔离器,SMA-K,隔离度18,损耗0.6
...

隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6