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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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隔离器

4000-8000MHz隔离器,SMA-K
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隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
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隔离器

7-7.7GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

4240-4360MHz隔离器,微带针,10W
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隔离器

3700-3980MHz隔离器,100W,N-K
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4