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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,
HGC125
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,
HGC116-PD
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全正电,匹配式 SPT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:40dB,
HGC122