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50~80 (2)
300~370 (2)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC1601C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
NC16114C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1644C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1632C-2527PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16106C-106
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1630C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

开关芯片

#REF!
HG126KB
...

匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,
HGC116-PD
...

全正电，匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
...

W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
...

单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4
...

单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4

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