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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,

型号:HGC126

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,

频率:0.1-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,

型号:HGC120

频率:0.1-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:40dB,

型号:HGC122

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,