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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:45dB,
HGC114-4D
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,
HGC126
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.8dB,隔离度:45dB,
HGC116
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单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
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开关芯片

频率:5-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:45dB,
HG127K2