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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC115
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:55dB,
ISW-00203T
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW3H