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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1.85dB,隔离度:47dB,
ISW-00066T