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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,
HGC126
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HG127KC